Az optikailag izolált mérési technológia sikeres esettanulmányai-az Önt érdeklő példák-valóban bizonyítják, hogy képes „pontosan reprodukálni a hiteles jeleket” még összetett elektromágneses környezetben is. Megértem azt a frusztrációt, hogy zajos interferencia gyötör, és olyan vizsgálati eredményekkel kell szembenéznem, amelyek valószínűtlennek tűnnek; ezek a valós-megvalósított esetek kritikus referenciapontként szolgálnak az ilyen mérési szűk keresztmetszetek áttöréséhez.
A kivételesen magas Common Mode Rejection Ratio (CMRR) és az alacsony parazitaparaméterek kihasználásával az optikailag izolált mérési technológiát sikeresen alkalmazták nagy{0}}frekvenciás, nagy{1}}feszültségű forgatókönyvekben-, mint például az új energiájú járművek motorvezérlői, a nagy-teljesítményű egyenáramú tápegységek és a MOSFET (Silicon Carbide) dinamikus tesztelése. Megoldja a hagyományos differenciálszondák-maradandó kihívását, nevezetesen a jeloszcillációt és a közös -módú interferencia- által okozott jeltorzulást, ezáltal lehetővé teszi a kapcsolási folyamatok pontos rögzítését nanoszekundumos szinten.
I. Új energiájú járműmotor-vezérlők: magas-oldalsó Vgs pontos mérése kettős-impulzus tesztelés során
Az új energiafelhasználású járműmotor-vezérlők kettős-impulzus-tesztjének összefüggésében a fő kihívás a magas-oldali MOSFET Vgs-jének (kapu-forrásfeszültségének) mérése a hídáramkörön belül. A rendkívül gyors kapcsolási sebesség miatt (amely a nanoszekundumos tartományban fordul elő) a hagyományos differenciálszondák gyakran erős jeloszcillációt mutatnak magas dv/dt körülmények között, amelyet a gyakori-módú interferencia okoz, ami arra készteti a mérnököket, hogy ezeket a műtermékeket tévesen diagnosztizálják, mint tényleges áramkör-tervezési hibákat.
Megoldás: A mérésekhez a Micsig MOIP1000P optikailag leválasztott szondát (akár 180 dB CMRR-rel) alkalmaztam.
Eredmény: Sikeresen rögzített tiszta, torzítás{0}}mentes Vgs hullámformákat a magas-oldali MOSFET-hez. Ezek a hullámformák nagymértékben illeszkednek az elméleti elemzésekhez, lehetővé téve a mérnökök számára, hogy pontosan felmérjék a kapcsolási veszteségeket és az áramköri teljesítményt, elkerülve ezzel a szükségtelen és nem hatékony áramkör-módosításokat.
Vásárlói visszajelzések: Korábban az oszcillációs probléma megoldatlan maradt, annak ellenére, hogy többször is próbálkoztak differenciális szondákkal; az optikailag leválasztott szondára való váltás után az „eredmények kiválóak voltak”, közvetlenül megoldva a K+F szakasz során felmerült nagy akadályt.
II. Nagy-teljesítményű, egyenáramú, szabályozott tápegységek: a jelintegritás biztosítása a SiC-eszközök fejlesztése során
Egy jelentős tápegység-gyártó, miközben szilícium-karbid (SiC) technológián alapuló áramtermékeket fejlesztett ki, hagyományos differenciálszondákat használt a magas{0}}oldali MOSFET Vgs-jének mérésére. A kapcsolás pontos pillanatában a jel erős oszcillációt mutatott, így a mérnökök nem tudták megállapítani, hogy az anomália áramkör-tervezési hibából vagy mérési hibából ered-e.
Megoldás: A Micsig MOIP1000P optikai leválasztó szondát és egy nagy-felbontású MHO3-5004 oszcilloszkóppal párosított kombináció megvalósítása.
Eredmények: A mért hullámformák azt mutatják, hogy a magas-oldali MOSFET Vgs jele egyenletes és rezgésmentes, pontosan tükrözi az eszköz valódi kapcsolási jellemzőit, és megbízható alapot biztosít a tápegység tervezésének optimalizálásához.
Műszaki előnyök: Az optikai leválasztó szonda 180 dB-es CMRR-je 100 dB-t meghaladó teljesítményt tart fenn még az 1 GHz-es frekvenciasávon belül is, hatékonyan elnyomva a nagy-frekvenciás EMI interferenciát.
III. Szilícium-karbid (SiC) MOSFET dinamikus tesztelés: a nanoszekundumos{1}}skálaváltási jellemzők pontos jellemzése
A CREE C3M0075120K SiC MOSFET dinamikus tesztelése során a nagy parazita kapacitással (10–50 pF){2}}jellemző hagyományos szondák -eltolódási áramokat vezetnek be, amelyek veszélyeztetik az áramjelek hűségét, és feszültséghullámokat indukálnak.
Megoldás: A Micsig MOIP200P optikai leválasztó szonda (200 MHz-es sávszélességgel, mindössze 1 pF-es parazita kapacitással és 180 dB CMRR-rel) a kapu-forrásfeszültség (Vgs) és az elvezető-forrásfeszültség (Vds) mérésére.
Eredmények:
A mért Vgs és Vds hullámformák nem mutatnak torzulást, és szorosan illeszkednek a szimulációs eredményekhez.
Az ultraalacsony, 1 pF-os parazita kapacitás gyakorlatilag nem okoz további áramhibákat, így megbízható adatalapot biztosít a kapcsolási veszteségek kiszámításához.
Case Value: Ez a technológia a széles sávszélességű félvezető szektor ipari korszerűsítését lehetővé tevő technológiaként jelent meg, hatékonyan áthidalva a teljes értékláncot a „chip-tervezéstől” a „csomagoláson” át a „rendszeralkalmazásig”.
